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1300. 紀要 / 東海学園女子短期大学 [編] >
第27号 >

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11334/1265

Title: III-V化合物混晶半導体の界面デバイスと量子井戸構造(GaAs系物性を中心にして)
Other Titles: Quantum Confinement for Compounds Semiconductor Gallium-arsenide and Suface device : Quanteneinsperrung, grund Wissensichaft u. Mikro Technologie der Gallium-arsenid Verbindungs Halbleiter
Authors: 佐藤, 均
Author's alias: Satoh, Hitoshi
Author's Kana: サトウ, ヒトシ
Issue Date: 17-Aug-1992
Publisher: 東海学園女子短期大学
URI: http://hdl.handle.net/11334/1265
Appears in Collections:第27号

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