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1300. 紀要 / 東海学園女子短期大学 [編] >
第27号 >
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http://hdl.handle.net/11334/1265
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| タイトル: | III-V化合物混晶半導体の界面デバイスと量子井戸構造(GaAs系物性を中心にして) |
| その他のタイトル: | Quantum Confinement for Compounds Semiconductor Gallium-arsenide and Suface device : Quanteneinsperrung, grund Wissensichaft u. Mikro Technologie der Gallium-arsenid Verbindungs Halbleiter |
| 著者: | 佐藤, 均 |
| 著者（別名）: | Satoh, Hitoshi |
| 著者（ヨミ）: | サトウ, ヒトシ |
| 発行日: | 1992年8月17日月曜日 |
| 出版者: | 東海学園女子短期大学 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11334/1265 |
| 出現コレクション: | 第27号
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